Optez pour DIAMFAB, la technologie Diamant

À la croisée des technologies de pointe dans le secteur des semi-conducteurs, la société DIAMFAB déploie sa solution innovante de diamant synthétique pour la haute puissance et les conditions extrêmes.

DIAMFAB, la solution diamant pour l’électronique de puissance et les conditions extrêmes

Dans un contexte d’électrification et d’hybridation de nos mobilités et où les innovations et les appareils demandent toujours plus d’énergie électrique pour fonctionner, il est urgent d’opter pour des matériaux permettant d’obtenir une meilleure efficacité énergétique et une densité de puissance supérieure. Le diamant est considéré comme le semi-conducteur ultime, surpassant les performances de tous les matériaux actuellement sur le marché, anciens (Si, GaAs) et nouveaux (GaN et SiC). Le diamant semi-conducteur sera le passage obligé pour aller plus loin, protéger mieux et consommer moins.

La technologie diamant pour répondre aux enjeux de la transition énergétique

La technologie diamant de qualité électronique DIAMFAB se positionne comme la solution pour répondre aux enjeux d’aujourd’hui et de demain de la transition énergétique. Impliquée dans plusieurs domaines liés au diamant semi-conducteur et à ses applications, notre entreprise est experte dans la croissance de couches épitaxiées de diamant et dans le développement de composants électroniques en diamant. Notre savoir-faire nous permet de contrôler le dopage et les épaisseurs des couches avec une précision et une qualité unique pour obtenir du diamant de « qualité électronique » .

Ainsi nos wafers de diamant à haute valeur ajoutée aux propriétés électroniques parfaitement maîtrisées sont prêts à être processés en salle blanche. Pour en savoir plus rendez vous sur notre page produits.

Les atouts du matériau diamant par DIAMFAB

• Gain de volume et de poids
• Résistance aux hautes températures
• Résistances aux radiations
• Résistance aux hautes tensions
• Applications quantiques

30 ans de recherche et développement

L’équipe Semi-conducteurs à large bande interdite (ou semi-conducteurs grand gap : SC2G) de l’Institut Néel – CNRS, travaille depuis 30 ans sur la croissance du diamant synthétique de très haute qualité pour des applications électroniques exigeantes. Une approche orientée application qui combine croissance de diamant et développement de composants a permis d’acquérir un savoir-faire et une maîtrise unique de la qualité et des propriétés des couches épitaxiées de diamant. Le laboratoire a pu atteindre cette excellence scientifique grâce à une stratégie pugnace, des collaborations au niveau mondial (laboratoires européens et japonais principalement) et un investissement important en ressources financières et humaines.

L’Institut Néel étant le seul laboratoire à maîtriser cette technologie avec un tel degré de maturité, il est apparu évident pour les chercheurs fondateurs qu’il existait une opportunité unique de fournir en matière première les laboratoires travaillant au développement de composants en diamant. Cette décision est aussi stratégique puisqu’elle a pour vocation d’accélérer le développement des composants en diamant en permettant à toute structure disposant d’une salle blanche d’en fabriquer.

Ainsi, le projet de créer DIAMFAB a été initié en juin 2016 pour valoriser toutes ces années de recherche sur l’élaboration de diamant pour des applications électroniques. C’est la conviction du fort potentiel et de l’avenir de la technologie qui ont poussé les 5 fondateurs (Gauthier, Khaled, David, Julien et Etienne) à concrétiser ce projet en créant la société en mars 2019 après 2 ans et demi de maturation et d’incubation accompagnés par la SATT Linksium Grenoble Alpes.

Depuis sa création en 2019, DIAMFAB est hébergé à l’Institut Néel-CNRS